高中低压全品线布局！一家快速发展的国产氮化镓IDM芯片厂商

在消费电子小功率场景，氮化镓由于具有低导通损耗、高开关频率等优良特性，能够以更低的成本实现更小的体积以及更高的功率密度，目前已经在PD快充、电源适配器等领域成为了行业标配。

需求方面，2018年前后氮化镓快充开始在国内市场兴起，从最初的5W到现在已经更新迭代到了最高的300W，即使面临全球消费市场疲软的冲击，但OPPO、vivo、小米、联想、戴尔等厂商每年20亿台消费电子设备的基本盘仍然能为氮化镓企业带来30亿颗GaN芯片的市场机会；从价值量来看，随着充电器高功率的发展趋势，一个电源适配器氮化镓器件的使用量已经由1颗逐渐增加至3颗，单件价值量可提升2-3倍，这为GaN芯片厂商快速放量，实现从0到1的突破提供了充分的市场土壤。

基于创始团队对氮化镓的充分认知，致能科技选择以市场更为成熟低功率的消费电子领域作为切入点，很快向市场推出了ZN65C1R400、ZN65C1R1000、ZN65C1R200、ZN65C1R120、ZN65C1R070等多个型号的产品，并且凭借业内领先的技术优势，已经在下游众多知名客户中实现了批量出货。

以某客户240W的氮化镓产品为例，该产品采用有桥PFC+双管反激全GaN方案，使用的是致能科技自主研发cascode结构的D-GaN ZN65C1R070L与ZN65C1R0200L氮化镓芯片，结合了致能科技最新的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术，能够实现突出的可靠性和性能。此外，该器件的栅极电荷比普通硅MOS低8倍，能够大幅降低器件的驱动损耗与开关损耗，在230Vac和48V输出条件下，四点平均能效能达到95%，表现成绩非常优异。